IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
閱讀更多在變頻器的IGBT模塊損壞時,為了防止新的IGBT安裝后再次短路燒壞,在裝IGBT前需要對電源板單獨供電,以檢測各驅動光耦發出的驅動信號是否正常。這時往往需要先屏蔽溫度檢測報警和母線電壓過低報警故障(用310V直流電壓給AC380V供電的變頻器母線供電),才能讓CPU輸出PWM驅動波形。
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